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產(chǎn)品分類
產(chǎn)品文檔:
PHI 4700 AES俄歇分析儀
產(chǎn)品特點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn):
? 量化薄膜的成分
? 層的厚度測(cè)量
? 檢測(cè)相互擴(kuò)散層
? 微米范圍多點(diǎn)分析
基本規(guī)格:
? 全自動(dòng)多樣品縱深分析:PHI 4700薄膜分析儀在微小區(qū)域之縱深分析擁有絕佳的經(jīng)濟(jì)效益,可在SEM上特定微米等級(jí)之微小區(qū)域快速進(jìn)行深度分析。圖2顯示長年使用的移動(dòng)電話鍍金電極正常與變色兩個(gè)樣品之縱深分析結(jié)果,兩者材質(zhì)皆為鍍金之錫磷合金。從電極二(變色電極)可看到金屬錫擴(kuò)散到鍍金膜上,因?yàn)榻缑娴母g而產(chǎn)生氧及錫導(dǎo)致電極變色。
? 靈敏度半球型能量分析器:PHI 4700半球形能量分析器和高傳輸輸入透鏡可提供最高的靈敏度和大幅縮短樣品分析時(shí)間。除此之外,具有全自動(dòng)的量測(cè)功能,此裝置可在短時(shí)間內(nèi)測(cè)量多個(gè)樣品。 點(diǎn)選屏幕上軟件所顯示的樣品座,可以記錄欲量測(cè)的位置,對(duì)產(chǎn)品與工藝流程管理上之?dāng)?shù)據(jù)搜集可進(jìn)行個(gè)別分析。
? 10 kV LaB6掃瞄式電子槍:PHI的06-220電子槍是基于一個(gè)以LaB6為電子源燈絲以提供穩(wěn)定且長壽命電子槍的工具,主要在氬氣濺射薄膜時(shí)進(jìn)行深度分析。06-220電子槍還可以:產(chǎn)生二次電子成像,俄歇測(cè)繪和多點(diǎn)分析。在加速電壓調(diào)節(jié)從0.2至10千伏。電子束的最小尺寸可保證小于80納米。
? 浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍:PHI的FIG- 5B浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍:提供離子由5伏到5千伏。大電流高能量離子束被用于厚膜,低能量離子束(250-500 V)用于超薄膜。浮動(dòng)柱狀式,確保高蝕刻率與低加速電壓。物理彎曲柱會(huì)阻止高能量的中性原子,從而改善了濺射坑形狀和減少對(duì)鄰近地區(qū)的濺射。
? 五軸電動(dòng)樣品臺(tái)和Zalar方位旋轉(zhuǎn):PHI 15-680精密樣品臺(tái)提供5軸樣品傳送:X,Y,Z,旋轉(zhuǎn)和傾斜。所有軸都設(shè)有馬達(dá)及軟件控制,以方便就多個(gè)樣品進(jìn)行的自動(dòng)縱深分析。樣品臺(tái)提供Zalar(方位角)旋轉(zhuǎn)的縱深剖析,利用旋轉(zhuǎn)來降低樣品在一個(gè)固定位置上的擇優(yōu)濺射,以優(yōu)化縱深分析。
? PHI SmartSoft用戶界面:PHI SmartSoft是一個(gè)被認(rèn)同為方便用者使用的操作儀器軟件。軟件透過任務(wù)導(dǎo)向和卷標(biāo)橫跨頂部的顯示指導(dǎo)用戶從輸入樣品,定義分析點(diǎn),并設(shè)定分析。多個(gè)分析點(diǎn)的定義和最理想樣品的定位是由一個(gè)強(qiáng)大的“自動(dòng)Z軸定位”功能所提供。預(yù)存多樣的操作設(shè)定,可讓新手能夠快速,方便使用。
可選用配備:
? 熱/冷樣品座
? 樣品真空傳送管(Sample Transfer vessel)
應(yīng)用領(lǐng)域:
? 半導(dǎo)體薄膜產(chǎn)業(yè)
? 微電子封裝產(chǎn)業(yè)
? 無機(jī)光電產(chǎn)業(yè)
產(chǎn)品介紹
在開發(fā)新材料及薄膜制程上,為了有助于了解材料組成間的相互作用及解決工藝流程的問題,材料組成或薄膜迭層的深度分析是非常重要的。
PHI 4700使用了AES分析技術(shù)為基礎(chǔ),搭配靈敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6掃瞄式電子槍、5 kV浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍及高精密度自動(dòng)樣品座。針對(duì)例行性的俄歇縱深分析、微區(qū)域的故障分析,提供了全自動(dòng)與及高經(jīng)濟(jì)效益的解決方法。
PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇掃描納米探針。它提供了高度自動(dòng)化,低成本、高效益的方案進(jìn)行例行俄歇深度分析和微米范圍的故障分析。 PHI 4700可以輕易的配備上互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備,以供遠(yuǎn)程操作或監(jiān)控之用。