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TESCAN MIRA 場發(fā)射掃描電鏡
產(chǎn)品特點(diǎn)
TESCAN MIRA 是 TESCAN 推出的第四代高性能掃描電子顯微鏡,配置有高亮度肖特基場發(fā)射電子槍,在TESCAN 的 Essence? 操作軟件的同一個(gè)窗口中實(shí)現(xiàn)了 SEM 成像和實(shí)時(shí)元素分析。這種結(jié)合大大簡化了從樣品中獲取形貌和元素?cái)?shù)據(jù)的過程,從而使得MIRA 成為質(zhì)量控制、失效分析和實(shí)驗(yàn)室常規(guī)材料檢測的有效分析解決方案。
TESCAN MIRA 具有創(chuàng)新的光學(xué)設(shè)計(jì),確保在需要時(shí)可以隨時(shí)無縫地選擇成像或分析條件,而無需對鏡筒內(nèi)的任何元件重新進(jìn)行機(jī)械對中;借助完全集成的 Essence? EDS 軟件,可以快速、輕松地從成像切換到分析操作模式,一鍵即可實(shí)現(xiàn)所有設(shè)置參數(shù)的更改。
產(chǎn)品介紹
主要特點(diǎn)
ü 完全集成的 TESCAN Essence? EDS 分析平臺(tái),可在 Essence? 軟件的同一個(gè)窗口中實(shí)現(xiàn) SEM 成像和實(shí)時(shí)元素分析;
ü TESCAN 獨(dú)特的無光闌光路設(shè)計(jì)及實(shí)時(shí)電子束追蹤技術(shù)(In-flight Beam Tracing?),可快速獲得最佳的成像和分析條件;
ü 獨(dú)特的大視野光路(Wide Field Optics?)設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)最小放大倍率低至2倍,因而無需額外的光學(xué)導(dǎo)航相機(jī),即可輕松、精確的對樣品進(jìn)行導(dǎo)航;
ü 標(biāo)配的 SingleVac? 模式,不導(dǎo)電樣品或電子束敏感樣品無需噴鍍即可在此模式下直接進(jìn)行觀察;直觀的模塊化 Essence? 軟件,無論用戶的經(jīng)驗(yàn)水平如何,均可輕松操作;
ü Essence? 3D 防碰撞模型,可確保樣品臺(tái)和樣品移動(dòng)時(shí),安裝在樣品室內(nèi)探測器的安全性;
ü 可選配的鏡筒內(nèi) SE 和 BSE 探測器,以及電子束減速技術(shù),更好的提升了低電壓下的成像性能;
ü 標(biāo)準(zhǔn)分析平臺(tái),可選配集成最多種類的探測器和附件(如陰極熒光探測器,水冷背散射電子探測器或拉曼光譜儀等)。
中間鏡設(shè)計(jì)
MIRA 的鏡筒中增加了一個(gè)特殊的透鏡,使得電子束斑尺寸更小,進(jìn)而提升大束流下的分辨率。這個(gè)獨(dú)特的透鏡--中間鏡 (Intermediate Lens?) 結(jié)合電子束追蹤技術(shù)(In-?ight Beam Tracing?),可確保操作者設(shè)定的束流值與真實(shí)作用在樣品上的束流相一致。這對于需要大束流下進(jìn)行的分析應(yīng)用如EDS/EBSD/WDS等,以及必須在相同條件下進(jìn)行重復(fù)實(shí)驗(yàn)或表征的需求尤其重要。
更多的探測器和附件
TESCAN MIRA 可以安裝各類附件以滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)還可以選配鏡筒內(nèi) SE 和BSE 探測器以及電子束減速技術(shù),進(jìn)一步拓展了 MIRA 的分析能力,滿足當(dāng)前和未來在亞微米尺度的表征需求。選配鏡筒內(nèi) SE 和 BSE 探測器后,即可同時(shí)獲得包括樣品室內(nèi)SE、樣品室內(nèi)BSE、鏡筒內(nèi)SE及鏡筒內(nèi)BSE的4種不同襯度信號。電子束減速技術(shù)則可提升其成像能力,尤其是在低電壓下的分辨率。
全新的 EssenceTM 電鏡控制軟件
采用 TESCAN Essence? 多用戶電鏡操作軟件,具有快速搜索、操作步驟撤銷/重做和預(yù)設(shè)參數(shù)等功能,實(shí)現(xiàn)更高效的樣品分析和表征。用戶可以根據(jù)實(shí)際操作水平或特殊應(yīng)用需求的不同在軟件中自定義界面布局。另外,Essence? 防碰撞模型軟件虛擬出樣品室內(nèi)部,直觀的顯示樣品室內(nèi)的所有硬件的幾何關(guān)系,樣品臺(tái)的大小和位置,以及樣品和安裝的其它附件。
創(chuàng)新的 SingleVac TM 模式
SingleVac? 模式是 TESCAN MIRA 的標(biāo)配功能,TESCAN 已為此模式預(yù)設(shè)了真空值,荷電樣品無需噴鍍也可以使用背散射電子探測器直接觀察。同時(shí)還可以選配 UniVac? 模式,該模式下可連續(xù)調(diào)節(jié)真空度最高至 700 Pa,用于極端放電、放氣及電子束敏感樣品的二次電子和背散射電子成像。